方向讨论 异质结器件 GaN GeSi SiC InP

我看到有好多教授在做这种异质结器件
有III-V族的，比如GaN,InP
也有IV-IV的。
有没有对这个领域熟悉的?
.. 这里边哪个方向要好一些？
还有，对于微波，功率，光电这三种器件，
那个领域较为热门？
我知道，不可能很简单的说哪个好哪个不好，
希望大家一起来讨论一下哈

1.首先请问楼主哪个学校的？我印象中本科能接触到这些知识的学校不多，应该在个位数。
2.三五族器件主要用在微波，价格高昂，偏向于军用，申请专业可能会受限（除非你是us citizen）。
3.没看懂所说的微波，功率，光电三种器件是怎么分类的？按波段应该分微波-毫米波-。。。-数字基带。
材料分是GaAs为代表的结质，传统CMOS，InP，其中InP就是光电材料，同时也能用于微波。

回复 2# zyf1990


    我是电子科大的。。
其实我也是一个小白。只是惊叹于异质结功能的强大，所以感觉很有兴趣，敢问你事哪个学校的？
是不是也是准备今年申的？

回复 3# qhdxyt1503


    我是你校友。。今年申请。。说不定都认识你。

回复 3# qhdxyt1503


    另外GaAs类器件没有那么强大，虽然噪声和频率也就是速度能做到很好，但是稳定性没有硅基好。而且最关键的是价格高昂，直接限制了它不可能广泛应用。基本都是在军工。入行的话要慎重，尤其是你准备出国。与其做这个，不如去做天线，上手快，应用也稍广。

回复 5# zyf1990


    汗。。真的是校友啊。。校友，我感觉你懂得好多，你加上我QQ吧，250215327.以后多交流。