24Fall 海本 EE 高三维 想申研转IC design

三维：某no doctorate 的engineering school EE major ， minor CS + MA + Physics，GPA 3.99 （B+了一节写作课），GRE 155+170+3.5，免T

软背景（主要是实习）：
1，在学校企业开发PCB两年，做RF和高速PCB；
2，在硅谷tesla做battery electronic 6个月，做PCB
3，科研基本没有，（因为teaching school，research不强而且和我interest不符），一个antenna array项目在做，水；
4，在学校FSAE team做PCB三年多，是这方面的leader

推荐信（学校教授、实习manager，均是强推，但没大牛）

目标：以后在工业界做IC Design，所以尽量申MS circuit方向而不是Meng，因为可以做research积累tape out经验。interest 在RFIC方向。

冲刺: Caltech，Stanford （HCP和full time的bar哪个低点？）
主申：UCLA，UIUC，UT Austin
保底：GIT，Cornell （Meng），在Tesla做硬件

看网上UCB meng评价不是特别高，eecs meng是不不太符合我research + tape out的目标？UCB MSEE是不压根不录？
UT Austin感觉偏数字，模拟和RF不太强？
大家觉得我选校稳不稳？有哪些项目不适合毕业找Analog IC design工作？（因为我已经有return offer了，读研主要是为了换个行业）
有人也说既然有工作了，先抽H1B然后再读研？但我觉得要做IC design的话，之前的PCB开发经验会用不上，浪费时间，不如早读研早转行？
多谢大家

（本校的话基本GPA3.8+去CMU ECE是比较稳的，3.6+去GIT是稳的）